International Rectifier представляет усовершенствованный высокочастотный IGBT Co-Pack транзистор для получения максимального результата в мощных AC-DC преобразователях. |
|
International Rectifier, мировой лидер в технологии создания компонентов для силовой электроники, представляет IRGP50B60PD - 600-вольтовый NPT-IGBT транзистор со встроенным 25-амперным HEXFRED диодом способным работать на частотах вплоть до 150 кГц.
|
IRGP50B60PD расширяет линию WARP2 – высокочастотных IGBT/HEXFRED совмещенных приборов. Новый транзистор улучшен благодаря внедрению более мощного HEXFRED диода, способного работать в условиях больших выбросов обратных токов. В дополнение, новый Co-Pack прибор позволяет получить высокий КПД в мощных (от 1 кВт до 12 кВт) высокочастотных импульсных источниках питания для телекоммуникационных и серверных систем. IRGP50B60PD может применяться в корректорах коэффициента мощности, мостовых ключевых схемах, мощных источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах и различных промышленных силовых устройствах.
«Мощные AC-DC серверные и телекоммуникационные цепи повышенной плотности нуждаются в высоком КПД и наличии сильных ключей для безотказной работы. WARP2 IGBT транзисторы обладают низкими потерями при выключении и малое время спада тока для получения значительно большего КПД, чем в конкурирующих устройствах, особенно на высоких частотах», сказал Стивен Оливер (Stephen Oliver), маркетинг-менеджер по AC-DC компонентам International Rectifier.
Новые WARP2 IGBT транзисторы производятся по новой технологии с применением тонкой подложки, которая гарантирует меньшее время переноса заряда и более быстрое выключение. Незначительный обратный выброс тока и низкие потери на выключении (или Eoff) дают возможность разработчикам достичь более высоких рабочих частот переключения.
Улучшение частотных свойств, в совокупности с положительным температурным коэффициентом и низким зарядом затвора, дает возможность повысить плотность тока. Положительный температурный коэффициент гарантирует надежность, безотказность, высокую эффективность и равномерное распределение тока при параллельном соединении.
Part Number |
VCES |
Package |
IC @ 25@ºC (FET equiv.)(A) |
IC@ 25ºC(A) |
IC@ 100ºC(A) |
Diode IFmax @ 25ºC(A) |
Diode IFmax @ 100ºC(A) |
VCE(ON)typ @ 25ºC(V) |
IRGP50B60PD |
600 |
TO-247 |
50 |
75 |
45 |
65 |
25 |
2V@33A |
| Источник: compel.ru | Дата публикации: 16/02/2005 |
|  |
 |
Реклама на сайте |
|
Последние новости  |
[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019
[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!
[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл
[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?
[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!
[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest
Читать все новости >> |
