Re: Новости и только новости
В 2008 году ряд компаний объявил об успешной разработке 32-нанометрового технологического процесса, а 2009 можно назвать годом перехода на этот техпроцесс, наряду с широким промышленным освоением 45-нм норм. Так, например, ещё в 2008 году компанией Intel был продемонстрирован первый работающий модуль статической памяти (SRAM), выполненный с соблюдением норм 32-нм технологического процесса. Стоит отметить, что размер каждой ячейки такой памяти составляет всего лишь 0,182 квадратных микрометра, а площадь чипа, содержащего более 1,9 миллиардов транзисторов, составляет всего 118 квадратных миллиметров. Уже весной 2009 года 32-нанометровая технология была объявлена компанией Intel полностью готовой к массовому производству сложнейшей процессорной логики, в подтверждение чему был продемонстрирован первый работающий 32-нм процессор. Стоит подчеркнуть, что определение "32-нанометровый технологический процесс" говорит о размерах затвора транзистора. То есть, при 32-нм технологических нормах размер затвора транзистора составляет эти самые 32 нанометра, а "шаг" транзисторов составляет примерно 112,5 нм. Кстати, ещё одна особенность Закона Мура, или, если хотите, следствие из него гласит о том, что размеры транзисторов продолжают уменьшаться в 0,7 раза каждые 2 года. Если ширина затвора 32 нм пока что ещё хоть как-то звучит в качестве физической длины, то ширина зазора диэлектрика из диоксида кремния, располагаемого между кремниевой подложкой и затвором, уже на этапе разработки 45-нм техпроцесса составила всего 1,2 нанометра. Если вспомнить, что диаметр атома кремния составляет всего лишь 0,24 нм, мы приходим к совершенно невероятным выводам: толщина отдельных элементов современного транзистора сравнима с диаметрами несколькими атомов! На практике разработчикам новых техпроцессов пришлось отказаться от использования диоксида кремния в качестве изолятора между подложкой и затвором. Дело в том, что при масштабах, оцениваемых диаметрами атомов, классический диоксид кремния уже не мог исполнять роль качественного диэлектрика: слишком тонкий его слой не способен эффективно снижать интенсивность квантово-механического туннельного перехода электронов через барьер. На практике это означает, что кроме того, что слишком тонкий слой диоксида кремния уже не гарантирует точное переключение транзисторного ключа, "токи утечки" через столь ненадёжный изолятор приводят к тому, что в масштабе всего чипа с его миллиардами транзисторов мы получаем самую настоящую печку, потребляющую неоправданно высокое количество энергии и выделяющую огромное количество побочного тепла. В Intel в процессе разработки 45-нм и 32-нм технологических процессов эту проблему удалось решить заменой традиционного диэлектрика затвора на материал с высоким диэлектрическим коэффициентом (Hi-K) с добавками оксида гафния. Также было обнаружено, что для эффективного производства Hi-K диэлектриков на основе гафния необходимо изготавливать электрод затвора из другого материала: вместо поликристаллического кремния использовать металл.
__________________
кагмаподэ магмаподэ
|
