Практика - критерий истины. Дубль четыре.

[ForcePoint]

В теме о многоканальном источнике тока - зашёл разговор и о разбросе напряжений база-эмиттер дискретных транзисторов. Вот в такой схеме (V1 = 7 В, V2 = 5,0 В ± 0,2%, Re = 182 Ом ± 1%, следовательно Ie около 23-24 мА) померил разность напряжений Vbe в парах (между эмиттерами разных ветвей):
КТ815Б (3 шт., октябрь 1980, новые) - 9,8 и минус 6,9 мВ;
КТ646А (5 шт., маркировка "81", на "В1" мало похожа, новые) - 10,9, 9,1, 1,9 и минус 4,6 мВ;
КТ605Б (5 шт., июль 1980, б/у) - 11,6, 9,1, 0,1 и минус 5,1 мВ.

И такое сообщение от

4) проверил 7 d882 - у 6и из 1й партии разброс 2..3мВ, у 7го - отличается в 30мВ.

Наверное - про 2SD882.

P.S.

Перепроверьте плз только мультиметром - насколько совпадут данные по сравнению со снятием в работающей схеме.

Мультиметр M890G, ток около 1,4 мА, переход база-эмиттер.
КТ815Б: 644, 652 и 653 мВ.
КТ646А: 628, 633, 634, 639 и 639 мВ.
КТ605Б: 704, 709, 710, 711 и 712 мВ.

P.P.S.

А если посмотреть при КЗ б-к, пожалуйста? тоже активный режим будет.

Сообщение от ForcePoint

Но при другом токе эмиттера.

Мультиметр M890G, ток около 1,4 мА, усилительный режим, база замкнута на коллектор.
КТ815Б: 591, 592 и 592 мВ.
КТ646А: 618, 623, 627, 629 и 630 мВ.
КТ605Б: 677, 688, 710, 711 и 712 мВ.

Почему транзистор всё ещё в усилительном режиме при напряжении коллектора равном базовому или меньшим?

Потому, что в переходе база-коллектор есть поле, создаваемое ионизированными атомами примесей. Оно и обеспечивает экстракцию носителей из базы в коллектор.

[zoog]

Ну да, 2S опускается как неизменная часть.
Не подумал бы ни за что, что у совкотранзисторов м.б. такой небольшой разброс)
Перепроверьте плз только мультиметром - насколько совпадут данные по сравнению со снятием в работающей схеме.

[ForcePoint]

Перепроверьте плз только мультиметром - насколько совпадут данные по сравнению со снятием в работающей схеме.

Режим не тот будет. Ток будет течь только через эмиттерный переход, он будет больше и в разбросе увеличится влияние сопротивления базы.
Может быть завтра.

[zoog]

Понятно, что режим будет не тот - вопрос не в абсолютном значении, а в верности оценки разброса.

[ForcePoint]

Или наоборот, увеличившееся падение на омическом сопротивлении - замаскирует разность.

.... вопрос ..... в верности оценки разброса.

Поясните подозрение.

[zoog]

Или наоборот, увеличившееся падение на омическом сопротивлении - замаскирует разность.

Я хз, что там с этим сопротивлением. У маломощных транзисторов оно в районе 100..500Ом, но ничего подобного при измерениях не наблюдается, 600мВ@1мА.

Поясните подозрение.

Например:
Активная схема: отклонение 3, 5 и 10мВ
Схема с тестером: 4, 6 и 12мВ
Результат: отлично, с поправочкой.

ForcePoint
КТ815Б: разбег 9мВ, в схеме - почти 17
КТ646А: разбег 11мВ, в схеме - 15
КТ605Б: разбег 16мВ, в схеме - 8
Ни к селу, на беду..
Руками не трогали транзисторы?
А если посмотреть при КЗ б-к, пожалуйста? тоже активный режим будет.

[ForcePoint]

Руками не трогали транзисторы?

За Схемака держите? Обидны весьма слова Ваши.
Выдержка под током не менее 1 минуты, без рук.

А если посмотреть при КЗ б-к, пожалуйста? тоже активный режим будет.

Но при другом токе эмиттера. Посмотрю.

[zoog]

Итого:
КТ815Б: разбег б-э диода 9мВ, в схеме - почти 17, в схеме с Uкб=0 - 1мВ
КТ646А: разбег б-э диода 11мВ, в схеме - 15, в схеме с Uкб=0 - 12мВ
КТ605Б: разбег б-э диода 16мВ, в схеме - 8, в схеме с Uкб=0 - 35мВ
Логично предположить, что у "высокоомных" высоковольтных 605х сильнее проявляется падение на сопротивлении базы при большом разбросе h21э.
Но то, что по сравнению с предыдущим измерением половина транзисторов не открылась больше - смущает, то ли Та понизилась, то ли высокое объёмное сопротивление коллекора ВВ транзисторов - видимо, неспроста h-параметры у него нормируются при напряжении 40В (обычно - 5..10), а Uнас - 8В.
Вывод: никому нельзя верить, хочешь подобрать транзисторы - делай это в схеме.