TPH3205WS — первые в отрасли 600-вольтовые GaN транзисторы в корпусе TO-247 от Transphorm |
|
На выставке APEC 2015 компания Transphorm показала инженерные образцы своих новых 600-вольтовых нитрид галлиевых (GaN) транзисторов в корпусе TO-247. При сопротивлении открытого канала 63 мОм и допустимом токе 34 А приборы TPH3205WS, в которых используется запатентованная Transphorm технология соединения кристаллов с выводами, снижающая уровни электромагнитных излучений при высокой скорости нарастания напряжения, позволяют сократить потери переключения и увеличить рабочие частоты в таких приложениях, как источники питания и инверторы.
|
Новые устройства, расширяя семейство продуктов EZ-GaNTM компании Transphorm, теперь поддерживают конструкции солнечных инверторов с уровнями мощности от нескольких сотен ватт (микроинверторы) до нескольких киловатт (центральные инверторы).
На своем стенде Transphorm показала, что с помощью ее нового транзистора TPH3205WS можно создавать сверхвысокоэффективные схемы преобразования энергии. Компания продемонстрировала 2.4-киловаттный безмостовой двухтактный корректор коэффициента мощности, КПД которого достигал почти 99% при работе на частоте 100 кГц. При объединении двухтактного корректора с силовым каскадом DC/DC преобразователя, выполненном на GaN транзисторах, значительно упрощается конструкция типовой сертификационной модели 80 PLUS Titanium и обеспечивается плотность мощности, недостижимая на кремниевых приборах.
Еще один действующий макет иллюстрировал фантастический уровень динамического сопротивления открытого канала TPH3205WS. В 2009 году Transphorm была первой компанией, сумевшей добиться постоянного и стабильного сопротивления канала во всем диапазоне коммутируемых напряжений от нуля до 400 В. Новейший транзистор, сопротивление открытого канала которого при переключении напряжения 400 В возрастает лишь на 5%, развивает достижения компании в этой области, превосходя аналогичные показатели сравнимых конкурирующих приборов почти на 90%. В статическом разделе экспозиции Transphorm продемонстрировала результаты использования TPH3205WS в 3-киловаттном инверторе, измеренный пиковый КПД которого равнялся 98.8% при частоте переключения 100 кГц и превышал 99% при частоте 50 кГц.
В последние несколько лет полупроводниковые приборы на основе GaN стали превращаться в ведущую технологическую основу для следующего поколения компактных, энергоэффективных систем преобразования энергии – от ультраминиатюрных сетевых адаптеров и источников питания с высокой плотностью мощности, устанавливаемых в ПК, серверы и телекоммуникационное оборудование, до высокоэффективных солнечных инверторов и систем позиционирования. «Расширение рыночной ниши Transphorm за счет этих новых GaN продуктов, наряду с появившимся доступом к более высококачественным производственным мощностям, позволяет нам удовлетворять растущих спрос потребителей во всем мире», – сказал президент и соучредитель Transphorm Примит Пэрих (Primit Parikh).
|  |
 |
Реклама на сайте |
|
Последние новости  |
[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019
[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!
[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл
[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?
[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!
[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest
Читать все новости >> |
