Vishay Intertechnology анонсирует первые 500-вольтовые MOSFET, основанные на технологии Super Junction

Низкое сопротивление открытого канала и малый заряд затвора новых транзисторов будут иметь большое значение для экономии энергии в мощных высококачественных потребительских устройствах, осветительных приборах и в импульсных источниках питания компьютеров.

Основанные на втором поколении технологии Vishay Super Junction, новые 500-вольтовые MOSFET SiHx25N50E дополняют существующую 500-вольтовую серию «D», изготавливаемую по высококачественной планарной технологии. Сопротивление открытого канала транзисторов нового семейства равно145 мОм, а максимальный ток стока – 25 А. Доступны различные варианты корпусов, включая TO-220 и ТО-247АС, а также оптимизированные для низкопрофильных продуктов тонкие корпуса TO-220 FULLPAK.

Новые приборы отличаются сверхнизким зарядом затвора, равным 57 нКл, и малым временем включения – ключевыми показателями качества MOSFET, используемых в силовых преобразователях. Так же как в 600- и 650-вольтовых транзисторах серии «E», низкое сопротивление открытого канала и оптимизированная скорость переключения 500-вольтовых устройств могут увеличить КПД и плотность мощности в корректорах коэффициента мощности, прямоходовых мостовых конвертерах и обратноходовых преобразователях.

Компоненты соответствуют требованиям директивы RoHS, имеют повышенную устойчивость к высокоэнергетическим импульсам в режимах переключения и лавинного пробоя и проходят стопроцентную проверку на отсутствие к защелкивания при коммутации индуктивной нагрузки. 

Реклама на сайте

Последние новости

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest