NGTB20N135IHR — IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1350 В и током коллектора 20 А, выполненный по технологии Field Stop |
|
Транзистор NGTB20N135IHR изготовлен с применением надёжной и недорогой технологии Field Stop Trench и имеет высокую эффективность, что предопределяет его использование в схемах с жестким режимом коммутации, где он сможет продемонстрировать низкое остаточное напряжение коллектор-эмиттер и низкие потери на переключение. Кроме того, данный транзистор также подходит для применения в резонансных каскадах и схемах с мягким режимом коммутации.
|
Отличительные особенности NGTB20N135IHR:
- Отличается малым нагревом корпуса при работе в системах индукционного нагрева
- Малые потери на переключение снижают рассеивание мощности
- Высокая проводимость в открытом состоянии за счёт технологии FieldStop
- Напряжение пробоя: 1350 В (мин.)
- Ток коллектора:
- При температуре корпуса TC = 25°C: 40 А
- При температуре корпуса TC = 100°C: 20 А
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCEsat = 2.2 В (тип.)
- Прямой ток диода:
- При температуре корпуса TC = 25°C: 40 А
- При температуре корпуса TC = 100°C: 20 А
- Рабочая температура перехода TJ от -40°C до +175°C
- Надёжное и недорогое однокристальное решение
- Корпус TO-247 без содержания свинца
| Источник: www.gaw.ru | Дата публикации: 29/03/2014 |
|  |
 |
Реклама на сайте |
|
Последние новости  |
[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019
[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!
[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл
[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?
[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!
[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest
Читать все новости >> |
|
|
|
|
