Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Semikron представляет новое поколение модулей IGBT Trench 4, способное работать в номинальном режиме при температуре до 150 °С


Компания Semikron представляет новое поколение модулей IGBT. IGBT Trench 4 имеет расширенный температурный диапазон, силовые ключи данного типа способны работать в номинальном режиме при температуре до 150 °С, а при кратковременной перегрузке - до 175 °С.

Благодаря оптимизации технологии ультразвуковой пайки выводов и металлизации чипов расширение температурного диапазона на 25 °С по сравнению со стандартными технологиями IGBT достигнуто без снижения ожидаемого срока службы компонентов. Проведенные расчеты и измерения позволили выпустить новый перечень аналогов для замены компонентов предыдущих серий на IGBT Trench 4.

Для расчета ожидаемого значения срока службы модулей IGBT T4 были проведены ускоренные ресурсные испытания. Тесты подобного рода, проводимые при высоких значениях градиента температуры dTj (до 100 °С и более), позволяют в течение достаточно короткого времени получать результаты, позволяющие установить зависимость количества термоциклов до полного отказа Nf от градиента температуры и ее среднего значения Tm. Полученные графики могут быть использованы для расчета ожидаемого срока службы в реальных условиях  эксплуатации при меньшем значении dTj = 20...60 °С.

Таблицы соответствия модулей IGBT SEMITRANS и SEMiX, выпускаемых по технологиям Trench 3 (серия 126), SPT (серия 128) и Trench 4.

Cерия 12Т4 получены из условия применения в 3-фазном инверторе с принудительным воздушным охлаждением при частоте ШИМ fsw = 4...8 кГц. 


Источник: compel.ru | Дата публикации: 06/07/2008

Предыдущая новость: Atmel представила AT86RF212 - IEEE 802.15.4-совместимый трансивер диапазона 800/900 МГц для ZigBee-применений Следующая новость: Компания Atmel выпустила два новых микроконтроллера tinyAVR выполненных по технологии picoPower, для критичных к стоимости применений с батарейным питанием
Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»