Новый тип памяти на базе революционной технологии Freescale - MRAM (Magnetoresistive random access memory) - магниторезистивная память с произвольной выборкой. Память MRAM способна заменить как ОЗУ типа eSRAM, так и FLASH - в одном кристалле. Новая память обладает скоростью eSRAM и способностью долговременно сохранять информацию аналогично FLASH. Данная память идеально подходит для задач где необходимы быстрые запись/чтение и способность сохранять информацию в отсутствие питающего напряжение без периодического обновления.
Сравнительная таблица основных технологий памяти:
Впервые образец памяти MRAM был представлен в декабре 2003 года.
Технические характеристики
MR2A16A
быстрая запись и чтение (скорость доступа 35 нс)
питание 3.3 В
минимальное потребление
сохранение информации в отсутствии питающего напряжения
температурный диапазон от 0 С до + 70 С
TSOP корпус
Источник: pec.spb.ru | Дата публикации: 10/08/2006
