Около года назад Fujitsu выпустила первый прототип мощного галлий-нитридного (GaN) транзистора с высокой подвижностью электронов (high electron mobility transistors, HEMT), основной сферой которого являются усилители базовых станций сетей 3G.
При всех положительных качествах в первом варианте реализации транзистор отличался высокой стоимостью изготовления за счет использования дорогостоящей полуизолирующей подложки из карбида кремния (silicon carbide, SiC). Использование более дешевой проводящей SiC-подложки приводило к ухудшению характеристик из-за возникновения паразитной емкости между электродами и утечки тока в подложку.
Новая технология, разработанная Fujitsu, предусматривает формирование сверху проводящей SiC-подложки дополнительного слоя нитрида алюминия (AlN), что в значительной мере решает описанные выше проблемы – и в плане характеристик, и в плане стоимости производства, которая представляет треть от предыдущего варианта реализации HEMT. Компания получила характеристики нового GaN HEMT, достаточные для его практического применения: максимальная выходная мощность 101 Вт, коэффициент усиления 15.5 дБ. Внедрение технологии ожидается в течение ближайших года-двух.
