Каким драйвером раскачать транзистор MMN1000DB010B?

[vladisslav1]

Совпадение либо ошибка измерения.

Совпадает с допустимой погрешностью. То есть ничего не взрывается, не греется и укладывается в заданные характеристики в диапазоне температур с учетом разброса номиналов компонентов.

Кто Вам такое сказал?

А как их вообще можно измерить? Это расчетные параметры, получаемые по результатам испытаний нескольких приборов из партии в указанных режимах или вообще по результатам симуляции по данным техпроцесса с завода, где печатают кристаллы.

Ну вот, и как Вы собирались использовать то, что неизвестно?

Почему неизвестно. В datasheet же эти параметры приведены. И графики бывают приведены с зависимостями от Vds. Берем худшие (максимальные значения), чтобы иметь запас на отклонения и считаем время задержки включения, время переходного процесса. Ну и момент времени, когда Rds(on) приблизится к номиналу (достижение Vgs значения из datasheet) можно прикинуть, таким образом оценив статические потери. Это все считается для худшего случая. Через заряд затвора получается примерно то же, так как заряд затвора и вычисляется из этих емкостей...

Я спрашивал про определние - это ёмкости выключенного прибора.

Кто вам такое сказал? Условия, для которых приводятся эти емкости, указываются в datasheet прибора. Это даже близко не то, что можно измерить тестером (за исключением, наверное Ciss, да и то с оговорками) на выключенном приборе.
Такая ссылка на datasheet не должна поломаться: stl320n4lf8 - недавно смотрел характеристики этого транзистора и запомнил, что приводятся не только зависимости емкостей от напряжения на стоке, но и заряда затвора.

[zoog]

Совпадает с допустимой погрешностью. То есть ничего не взрывается, не греется и укладывается в заданные характеристики в диапазоне температур с учетом разброса номиналов компонентов.

Вы же сами понимаете и даже признаёте, что ёмкость из ДШ почти не имеет отношения к реальнрй работе.

А как их вообще можно измерить? Это расчетные параметры, получаемые по результатам испытаний нескольких приборов из партии в указанных режимах или вообще по результатам симуляции по данным техпроцесса с завода, где печатают кристаллы.

Все эти паразитные параметры - измеряются, схемы есть в ДШ. Да, не 100%, но этого и не требуется.

Почему неизвестно.

Да потому, что их никто не измерял в рабочей схеме, только в отключенной. Вы что, троллите?

В datasheet же эти параметры приведены. И графики бывают приведены с зависимостями от Vds.

Или Вы не в курсе, что в активном режиме ёмкости да и почти все параметры транзистора изменяются?

Берем худшие (максимальные значения), чтобы иметь запас на отклонения

Разброс этих емкостей - 10-кратный, а результат совпадает с реальностью. Угу, угу.

Кто вам такое сказал?

Это даже близко не то, что можно измерить тестером (за исключением, наверное Ciss, да и то с оговорками) на выключенном приборе.

Это именно то. Если тестер измеряет на 1МГц и имеет источник смещения - то будет 100% совпадение.

Такая ссылка на datasheet не должна поломаться: stl320n4lf8

Никто никому ничего не должен. Прикрепите к посту, это дело 10 секунд или вставьте пробелы, чтоб вахтёр не возбуждался.

[vladisslav1]

Или Вы не в курсе, что в активном режиме ёмкости да и почти все параметры транзистора изменяются?

Естественно. Графики в datasheet и приводятся для оценки потерь в активном режиме.
При работе в источниках питания, при работе, например, с разрывом тока, входная емкость транзистора изменяется только на участке "полки". Следовательно можно исходя из приведенных графиков взять емкость при известном напряжении на стоке и посчитать время заряда затвора до порогового, затем взять несколько точек с графика и посчитать время перезарядки емкости миллера, затем взять входную емкость при нулевом напряжении на стоке и посчитать время зарядки затвора до напряжения, соответствующего желаемому сопротивлению канала.
Естественно, из-за разброса параметров, эти расчеты будут примерными, но оценить худший случай, чего обычно бывает достаточно, можно.

Если тестер измеряет на 1МГц и имеет источник смещения - то будет 100% совпадение.

Не будет из-за разброса параметров. И источник смещения поможет только при измерении Cds, так как смещение подается на сток. На стенде можно конечно измерить и получить емкости для конкретного транзистора в конкретных режимах. Но считать все равно нужно для худшего случая.

[zoog]

Графики в datasheet и приводятся для оценки потерь в активном режиме.

Нет там такого... ладно, весь нонсенс я перебирать не буду - просто скажу, что в приложенном ДШ нет обещанного.

ДШ с зависимостью Qg от

напряжения на стоке и характера нагрузки

[vladisslav1]

Нет там такого... ладно, весь нонсенс я перебирать не буду - просто скажу, что в приложенном ДШ нет обещанного.

Вот же оно:

[zoog]

Вот же оно:

где здесь

напряжения на стоке и характера нагрузки

... это был риторический вопрос, очевидно, Вы слабо представляете, что говорите.

[vladisslav1]

А что не так с моим пониманием процессов в транзисторе?
Вот например an-944 от Международных Выпрямителей, почти не пострадавший от перевода. Сначала пишут, что нужно считать от заряда, но потом оказывается, что заряд-то зависит и от напряжения на стоке и от тока стока и график даже приводят. Но оценить худший случай можно. (Как и если считать от емкостей).
Моим представлениям о процессах, происходящих в транзисторе при открытии, описание в этом документе соответствует. Вот только процессы при закрытии они почему-то не рассмотрели, а там ситуация несколько отличается, например считать, что драйвер выдает постоянный ток уже нельзя (если это не специализированный драйвер затворов IGBT с двухполярным питанием)
Или вот конспект лекций со смешными теоретическими транзисторами, каких не бывает в реальном мире, где пытаются донести простым языком до студентов примерно то же самое, но с использованием математики... Тоже соответствует моим представлениям (кроме нереалистичной конструкции транзисторов).

[zoog]

Вопрос был - напоминаю в 4й раз - от напряжения на стоке и характера нагрузки в любом ДШ.

А что не так с моим пониманием процессов в транзисторе?

Использования емкостей для расчёта мало?

Сначала пишут, что нужно считать от заряда, но потом оказывается, что заряд-то зависит и от напряжения на стоке и от тока стока и график даже приводят.

Вы не поняли, что там пишут. Ёмкость - очень нелинейна,

Как показано на графике, переключается ли
10В или 80B в цепи стока, разница в необходимом заряде
затвора не пропорциональна. Это происходит из#за того,
что емкость «Миллера» является нелинейной функцией
напряжения и уменьшается с возрастанием напряжения.

а вот заряд - практически не меняется, 10% против 800%.

что драйвер выдает постоянный ток уже нельзя

Можно и даже нужно) ошибка их в другом - на схеме там 100Ом, 20В и 1,5А....

[mike-y-k]

vladisslav1, таки уже было

…

откройте справочник по физике и попробуйте уйти от емкости к заряду. Просимулируйте или отработайте на стенде результаты расчетов с зарядом, полученным на стенде результатам, и посчитайте ошибку. Результат Вас приятно удивит…

[vladisslav1]

откройте справочник по физике и попробуйте уйти от емкости к заряду.

Ээээ....
Q=I*t=C*U

Cr(Ur)=C0/(1+Ur/Ubr)^k

Результат Вас приятно удивит…

Посчитал, причем по тупому, не учитывая изменение емкости миллера от напряжения и изменение выходного тока драйвера от напряжения... Не удивился.
От заряда 96ns
От емкости 100ns
Никакой разницы в разы... Может транзистор такой попался...
Хотя когда экспериментировал, получалось примерно так же для режимов из datasheet и немного дольше по результатам измерений. Расчет от емкости был ближе к результатам измерений. При другом напряжении на стоке и расчете с учетом изменения емкости по известной формуле, получалось точно также ближе от емкости, чем от заряда.
Если взять другие режимы, отличные от испытательных из datasheet и пересчитать емкость для изменившегося напряжения, а заряд не пересчитывать, разница с расчетом от заряда увеличивается, разница с экспериментальными результатами уменьшается.
Чтобы проверять на стенде, нужно найти транзистор, который будет соответствовать средним характеристикам из datasheet и достаточно высоковольтный, чтобы влияние емкости миллера было значительным и пришлось учесть нелинейность, но пока что у меня stm32, быстрый MODBUS (не на таймаутах, как тут многие любят делать), энкодеры, банки расширения IO на SPI, HMI, к счастью примитивный и тестирование работы всего этого на разных китайских клонах, так как оригиналы сейчас купить невозможно.