Multisim vs LTspice и другие. Сравнение

[bordodynov]

Проверка на пробой 600 В IGBT транзистора (индуктивный выброс).

[цифровик]

Проверка на пробой 600 В IGBT транзистора (индуктивный выброс).

Так включает IGBT транзисторы только Бордодынов.
Смотри и учись. И ни каких выбросов. А на будущее - выбросы на индуктивности есть даже при включении обычных катушках реле при включении. Это тоже индуктивность.
Вообще бы не плохо было бы тебе свою схему по твоему включению проверить на реальном мультиметре или осц. Спалил бы приборы в момент. Может тогда и дошло бы до ума.

[Yuri222]

Так включает IGBT транзисторы только Бордодынов.

ага, а включать резистор 25 Ом последовательно с индуктивностью 2,7 микроГенри - напаркуа?!
Бордодынов же специально провел этот тест на пробой, неужели не понятно?!

[vrybel]

модель 2N2222A. Модель от Zetex

Вот и будьте до конца честны.Как ключ она по даташиту.

[bordodynov]

цифровик,
Я взял схему из примеров Мультисима! Я бы до такого маразма сам бы не додумался, а вот ребята из NI додумались. Вот я решил воспользоваться их наработкой. Мне не пришлось выдумывать схему, на которой показал преимущество LTspice. Так что переадресуйте свои замечания им. Для обратных диодов иногда нормируют энергию пробоя. Если энергия не превышена, то транзистор живой. Так что если не усердствовать, то можно картинку даже наблюдать на осциллографе. Я правда уменьшил питание с 50 В, до 30 В.

vrybel,
вы опять проявляете наивность. Этот транзистор просто нормирован в ключевом режиме, но никто не запрещает его использовать в усилителях. Если транзистор хорошо работает в усилительном режиме, то почему бы его в этом режиме и не использовать. Не будьте догматиком! Например транзисторы КМОП были разработаны для цифровых схем, но их используют в усилителях. Микрочип использует в операционниках КМОП транзисторы, разработанные для микропроцессоров.Самые дешёвые низковольтные операционники именно их. Вот есть советский транзистор КТ316. Он имеет нормированные ключевые параметры, но его применяли и в усилителях.

а включать резистор 25 Ом последовательно с индуктивностью 2,7 микро

это фишка от цифровик. Он делал такой финт не раз, но я молчал, что с такого возьмёшь. Вы думаете он понял в чём проблема? И этот человек меня поучает.

[vrybel]

его использовать в усилителях.

Ни кто не спорит.Но,согласитесь,если у вас большая схема,и важен
ключевой режим.Этот транзистор будет кстати,проге то легче будет считать.
Его наличие,не делает multisim плохим.

[bordodynov]

Его наличие,не делает multisim плохим.

Его делают плохим неграмотные пользователи. Ведь никто не заставляет использовать плохую модель. И не оправдывайте плохую модель. Она плохая, потому что её делали малограмотные люди, а не потому, что это ключевой транзистор. Напряжение Эрли определяется уровнем легирования, который в свою очередь определяет пробивные напряжения. Я рассчитывал пробивные напряжения транзисторов интегральных схем при их проектировании. Учитывал кривизну pn-переходов. Я имею понятия об этих вещах. Для повышения пробивных напряжений транзисторов используют более высокоомный кремний. Из-за этого напряжение Эрли у высоковольтных транзисторов больше. Фактически напряжение Эрли коррелирует с напряжением пробоя. Транзистор 2N2222A совсем не низковольтный и такое маленькое напряжение Эрли в Мультисиме это нонсенс. И не я вставил этот транзистор в базу Мультисима. Я просто обратил внимание, что параметр VAF не правильный. А вы восприняли это в штыки. В литературе встречается утверждение (для npn) что VAF›2*Vкэо. При этом реальное напряжение пробоя, а не норма по справочнику. Отличие может быть большим.

[цифровик]

vrybel,

А что вы спорите с Бордадыновым насчет моделей транзисторов 2n 2222A. Ему просто надо как человеку вредному по своей натуре на чем то отыгрываться. Вот он и выбрал программу мс. Хотя в ней мало разбирается. Их две модели. Они разные по параметрам. На этих транзисторах давно строят в программе усилительные схемы. И все сходиться в железе. Но не чего мы ему не дадим этого сделать.

[цифровик]

ага, а включать резистор 25 Ом последовательно с индуктивностью 2,7 микроГенри - напаркуа?!
Бордодынов же специально провел этот тест на пробой, неужели не понятно?!

IGBT - мощный тип силовых транзисторов. Они работают на очень больших напряжениях и токах по переключению. Вход у него как у мосфета а внутри ключ на биполярной структуре. Работают они только с охлаждением на больших радиаторах. А в некоторых схемах им нужно еще и принудительное охлаждение. Я поставил на эти модели конечно не полную мощность переключения. Дроссель и резистор последовательно с ним для того что бы было правильное плавное нарастание переднего фронта импульса. Этот участок самый важный при его работе. Индуктивность дросселя ( у меня реальный в схеме) подбираются в железе от типа транзистора или силовых сборок. Так же от напряжения и тока переключения и конечно на какой тип нагрузки он работает.

[bordodynov]

цифровик,
сколько ещё вы будете здесь страдать старческим маразмом?! У вас все не знают прописных истин. Вы их преподносите как передовое слово в науке. Можно сделать вывод, что кое кто начал выживать из ума.