Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

IRG7PH надежные сверхбыстродействующие биполярные транзисторы с изолированным затвором на 1200В позволяют повысить общую производительность системы за счет существенного сокращения потерь на переключение и электропроводность диэлектрика


Компания International Rectifier, ведущий производитель элементной базы для систем управления силовым оборудованием, представила семейство надежных сверхбыстродействующих биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) на 1200В для схем индукционного нагрева IRG7PH35, IRG7PH42, IRG7PH46, IRG7PH50, источников бесперебойного питания, применнения в приложениях агрегирования солнечной энергии и сварки.

В новом семействе сверхбыстродействующих IGBT на 1200В используется тонкопленочная технология Field-Stop Trench, которая дает возможность существенно снизить потери на переключение и электропроводность диэлектрика, и таким образом достичь повышения энергоэффективности на высоких рабочих частотах. Эти транзисторы оптимизированы для применения в приложениях, которые не требуют защиты от короткого замыкания, например, источники бесперебойного питания, инверторы, сварочные аппараты, и таким образом дополняют номенклатуру продукции компании с функцией допустимого короткого замыкания в течение 10 мкс, которая применяется для приложений управления электродвигателями.

По мнению специалистов компании International Rectifier, существенный выигрыш с точки зрения производительности при применении новых транзисторов, в которых применена передовая технология снижения потерь при одновременном повышении рабочих частот, позволит существенно снизить общую стоимость разрабатываемых в настоящее время устройств.

При диапазоне рабочего тока от 20 до 50А транзистора в корпусе, сам кристалл допускает ток в 150А. Ключевые характеристики производительности включают: широкий диапазон обратного смещения в области устойчивой работы (RBSOA), низкое значение положительного температурного коэффициента VCE(on) для снижения рассеиваемой мощности и достижения максимальной удельной полезной мощности. В дополнение, устройства выпускаются без и со встроенным диодом с накоплением заряда. Бескорпусные изделия выпускаются с теплоотводящей фронтальной металлической пластиной для достижения повышенной надежности, производительности и эффективности.


Источник: rtcs.ru | Дата публикации: 16/03/2013

Предыдущая новость: IRS2500 микроконтроллер компенсации коэффициента мощности позволяет снизить чувствительность к шуму электронных дросселей стартеров и импульсных источников питания для бюджетных приложений Следующая новость: MAX2769B, MAX2670 универсальный приемник и усилитель входного тракта
Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»