Нужна схема ИП QJ3003 III

[tim1960]

zoog, чтобы грамотно проверить силовые транзисторы, их надо отпаивать. Пока этого не делал, только посмотрел, что на базе силового транзистора напряжение так же, как и на выходе блока, около 48 В. А вот почему так (пробит сам транзистор или на базу подаётся такое напряжение и транзистор его "честно" повторяет, а причина в цепях управления), без снятия транзисторов не понять. Займусь этим, когда появится время.

[zoog]

чтобы грамотно проверить силовые транзисторы, их надо отпаивать.

Если они пробиты - то не надо) Как правило в любой обесточенной схеме нормально проверяются переходы.

Пока этого не делал, только посмотрел, что на базе силового транзистора напряжение так же, как и на выходе блока, около 48 В.

Т.к. схема с ОЭ - то на базе всегда будет ± то, что на эмиттере.
Смотрите напряжения между входами ОУ, если пара мВ - то узел рабочий (но у нас этого явно не будет), если ±10..1000мВ и на выходе ОУ соответственно ± 2..5В - то ОУ рабочий, проблема дальше. Смотрите транзисторы: если Uбэ›0,7В, а Uкэ не около 0 - то то это обрыв, если ‹0,5В и ≈0 - то пробой...

[vidask]

Прикрепленная схема соответствует факту? Источники -15В и -6В не шунтированы конденсаторами. Транзисторам, управляющим реле- диоды наподобие КД521,между базой-эмиттером помогли бы. Китайский дизаин

[zoog]

диоды наподобие КД521,между базой-эмиттером помогли бы

От обратного напряжения деградируют только малошумящие и СВЧ транзисторы.

[ForcePoint]

2 пробитых диода (те, которые, встречаясь, образуют "+").

Какой плюс? "Силовой" или "вспомогательный"?

От обратного напряжения деградируют только малошумящие и СВЧ транзисторы.

Вообще-то - все. Вплоть до 2N2222.
См., например, "Designing for Reliability" от Toshiba. Раздел 3.2.1 "Degradation Due to Hot Carriers":

Degradation of device characteristics due to hot carriers also occurs in bipolar transistors. This is a well-known phenomenon characterized by a reduced hFE when a reverse bias is applied across the emitter-base. With the appearance of advanced shallow junction devices in recent years, there is a tendency towards increased reverse leakage current between the emitter and base and therefore a tendency towards greater degradation of characteristics due to hot carriers. Figure 3.6 shows an example of a degraded high-frequency characteristic (ft) caused by reverse emitter-base bias. This is because the base current increases due to an increased number of recombination centers at the Si-SiO2 interface caused by hot-carrier injection during reverse biasing.

[tim1960]

Прикрепленная схема соответствует факту?

В основном! Но отличия есть, поэтому приложенную схему можно рассматривать только как некоторую основу для ремонта. Нумерация элементов на схеме и "живьём" абсолютно разные. Схему именно такой модификации не нашёл !

Если они пробиты - то не надо

Прямого пробоя как-будто нет, но подробно пока вопрос не изучал, нет времени !

ForcePoint, силовой.

[zoog]

Вообще-то - все.

Я год назад здесь поднимал этот вопрос в одной теме - меня заверяли, что пока по-тёплому не пробъёться - всё нормально) Поверил(

[ForcePoint]

Сообщение от ForcePoint

Какой плюс? "Силовой" или "вспомогательный"?

силовой.

Ставлю на пробитие силового транзистора. Отпаяй R11 или R13. Если 48 не пропадёт - пробит силовой Q3.

[tim1960]

Ставлю на пробитие силового транзистора.

В отличие от приложенной схемы "живьём" силовых транзисторов 2N3055 в КАЖДОМ канале - 2 шт. Вероятно, они включены как-то "параллельно", пока не разбирался. Заказал новые транзисторы, когда появятся - займусь плотно ремонтом, тогда и отпаяю/проверю. Результаты сообщу.
А пока за желание помочь - спасибо!

[zoog]

Кажется, транзисторный человечек из ХиХ всё ещё актуален: