S25FLOOX - Последовательная SPI Flash память |
До последнего времени Flash память использовалась, главным образом, для хранения программ микропроцессорных систем в форме NOR Flash с традиционным параллельным интерфейсом щин адрес/данные, или для хранения данных в форме NAND flash с объединенным интерфейсом данные/управление для Flash файловых систем, используемых в USB стикерах памяти или цифровых камерах.
|
Есть, однако, еще один тип энергонезависимой памяти, известной как последовательная EEPROM .
Эта память использовалось ранее, обычно, для сохранения лишь небольших объемов данных, что определялось ее невысокой емкостью.
Выпущенная фирмой AMD SPI Flash память - последовательная память с малым физическим размером, простым интерфейсом и большими объемами позволит расширить области применения последовательных EEPROM .
Интерфейс SPI (последовательный интерфейс периферии) был первоначально предложен фирмой Freescale (ранее Motorola ) и был принят в качестве промышленного стандарта интерфейса связи между контроллерами и периферией. Это четырехпроводный интерфейс, включающий: линию сигналов входящих данных, линию исходящих данных, линию синхронизации и линию выбора кристалла, который позволяет организовать внутриплатную сеть в виде последовательности сдвиговых регистров.
Таким образом, с использованием SPI интерфейса количество линий подключения Flash памяти емкостью в 1 Мбит было уменьшено с 28 соединений до всего лишь 4 соединений, необходимых для SPI Flash .
Приборам S25FLOOx для нормальной работы достаточно напряжения питания только 3,0 В, для них характерно очень малые времена стирания и программирования и, кроме того малое потребление.
Быстродействие интерфейса SPI доходит до 25 МГц с возможностью достижения быстродействия в 50 МГц при переходе к MirrorBit технологии.
За счет малогабаритного 8-выводного корпуса, переход к памяти большего объема практически не ограничен и может быть выполнен буквально на-лету, поскольку в корпусах SO -8 или SO -8- Wide используется стандартная разводка выводов. Фирма Spansion 8-выводном корпусе предлагает сейчас память емкостью в 1, 2 и 4 Мбит изготовленную по стандартной технологии с плавающим затвором. В близкой перспективе, при использовании технологии MirrorBit , объем памяти будущих приборов и их быстродействие будут значительно увеличены.
Отличительные особенности:
• Flash память с секторами одинакового объема • Типовое количество циклов стирания/записи сектора: 100000 циклов • Сохранность данных: 20 лет (тип.) • Конфигурация: • S25FL001: 4 сектора x 256 Кбайт • S25FL002: 4 сектора x 512 Кбайт • S25FL004: 8 секторов x 512 Кбайт • Объем страницы: 256 байтов • Время стирания сектора: 0,5 сек (тип.) • Время глобального стирания: 1/2/4 сек (тип.) • Рабочее напряжение: от 2,7 до 3,6 В • Активный ток чтения: 9 мА (тип.) • Опции SPI интерфейса: • CPOL=0, CPHA-0 • CPOL=1, CPHA=1 • Корпуса: SO -8, SO -8 W , 6 x 5 мм WSON (безвыводной корпус) • Диапазон рабочих температур: от –0 до 70°C, от –40 до 85°C
Источник: cec-mc.ru | Дата публикации: 08/02/2005 |
| |
|
Реклама на сайте |
|
Последние новости |
[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019
[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!
[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл
[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?
[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!
[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest
Читать все новости >> |